Carburo di silicio Le ceramiche (SiC) presentano un'eccezionale conduttività termica, resistenza alle alte temperature, resistenza all'usura e alla corrosione, ampiamente adottate nella produzione di semiconduttori, nel fotovoltaico di nuova energia, nella protezione termica aerospaziale e nella metallurgia ad alta temperatura. La loro prestazione di servizio è dominata dalla morfologia dei grani, dalle condizioni al contorno dei grani e dallo stress residuo.
L'EBSD funge da metodo di caratterizzazione essenziale per analizzare l'orientamento dei grani, la struttura e i microdifetti del SiC. Dati EBSD affidabili guidano l'ottimizzazione della sinterizzazione ed evitano guasti ai componenti. La preparazione precisa del campione determina il successo dell'indicizzazione EBSD per ceramiche SiC dure e fragili. Le carte abrasive standard non riescono a levigare; sono necessari dischi diamantati e lucidatura a vibrazione.
Figura 1: Micrografia del campione ceramico di carburo di silicio (SiC) (scala: 300μm)
Figura 2: Micrografia del campione ceramico di carburo di silicio (SiC) (scala: 300μm)






